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碳化矽是一個具有良好物理、機械和電子特性的寬能隙材料,使其成為下一個世代中高功率元件的替代材料。在過去大家對於矽基板上磊晶成長碳化矽有很大的興趣,因為其具有低成本以及大面積的優勢,另一方面將矽表面進…
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本研究利用有機金屬化學氣相沉積(MOCVD)系統,透過「氣-液- 固」機制及使用金當催化劑,成功地在溫度700oC下分別在藍寶石(脉-Al2O3)、矽基板和氮化鎵上成長氮化鎵的奈米線。我們將氮源由…